procédé CSVT
- Domaine
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- électronique semi-conducteur
- Dernière mise à jour
Définition :
Méthode de fabrication par épitaxie de semi-conducteurs par chauffage simultané d'une source de matériaux et d'un substrat séparés l'une de l'autre d'une distance inférieure à 1 mm.
Note :
Dans le procédé CSVT, un agent de transport dilué dans le gaz vecteur réagit avec la source pour former un composé volatil qui migre vers le substrat où a lieu la réaction de recombinaison.
Termes privilégiés :
- procédé CSVT n. m.
- CSVT n. m.
Termes utilisés dans certains contextes :
- transport vapeur réactif à courte distance n. m.
- dépôt de semiconducteur par transport n. m.
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La longueur excessive du syntagme transport vapeur réactif à courte distance et sa formulation trop descriptive le rendent difficilement utilisable en contexte.
Le terme dépôt de semiconducteur par transport désigne une notion plus générique.
Traductions
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anglais
Auteur : Office québécois de la langue française,Termes :
- close-spaced vapor transport technique
- CSVT