silicium sur isolant partiellement appauvri
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Définition :
Technique de silicium sur isolant dans laquelle la mince tranche de silicium où sont gravés des transistors ou d'autres composants n'est que partiellement exempte de porteurs de charge libres, de sorte que certaines zones ne sont pas à l'abri de perturbations électriques.
Termes privilégiés :
- silicium sur isolant partiellement appauvri n. m.
- silicium sur isolant partiellement déserté n. m.
- silicium sur isolant à déplétion partielle n. m.
Traductions
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anglais
Auteur : Office québécois de la langue française,Termes :
- partially-depleted silicon-on-insulator
- PDSOI
- partially-depleted SOI