mémoire résistive à pont conducteur
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Définition :
Mémoire non volatile dont le fonctionnement repose sur la possibilité de faire varier la résistance du courant électrique à l'intérieur des cellules selon qu'un lien conducteur aux dimensions nanométriques se forme ou se rompt entre deux électrodes à la suite des réactions chimiques qui se produisent dans l'électrolyte solide qui les sépare, lorsque celui-ci est traversé par un flux d'ions positifs ou négatifs.
Note :
En déterminant deux forces de résistance distinctes à l'intérieur des cellules, selon que le lien est créé ou rompu entre les électrodes, on peut faire correspondre celles-ci au couple binaire 0 et 1 de l'informatique.
Termes privilégiés :
- mémoire résistive à pont conducteur n. f.
- mémoire à pont conducteur n. f.
- mémoire CBRAM n. f.
- mémoire à conduction ionique n. f.
- mémoire nano-ionique n. f.
- mémoire PMC n. f.
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Les sigles CBRAM et PMC correspondent aux termes anglais conductive-bridging random-access memory et programmable metallization cell.
Traductions
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anglais
Auteur : Office québécois de la langue française,Termes :
- conductive-bridging random-access memory
- CBRAM
- conductive-bridging RAM
- conductive-bridge random-access memory
- conductive-bridge RAM
- programmable metallization cell memory
- electrolytic memory
- PMC
- solid-state electrolyte memory
- nano-ionic memory
Terme associé :
- NanoBridge marque de commerce