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Fiche terminologique

FICHE TERMINOLOGIQUE

Interrogation 
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arséniure d'aluminium et de gallium

Domaines

électronique > semi-conducteur

chimie

Auteur

Logo identifiant une fiche rédigée par l’Office québécois de la langue française Office québécois de la langue française, 1992

Définition

Composé III-V ternaire, résultant de la combinaison de l'arsenic, du gallium et de l'aluminium, utilisé comme semi-conducteur dans la fabrication de composants optoélectroniques.  

Termes jugés adéquats pour désigner le concept à l’intérieur d’un domaine spécialisé, conformes au système linguistique du français ou acceptables en vertu des politiques officielles de l’Office

Termes privilégiés

arséniure d'aluminium et de gallium   n. m.

GaAlAs   

arséniure de gallium-aluminium   n. m.

arséniure de gallium aluminium   n. m.

arséniure de gallium et d'aluminium   n. m.

arséniure d'aluminium gallium   n. m.

AlGaAs   

Anglais

Auteur

Logo identifiant une fiche rédigée par l’Office québécois de la langue française Office québécois de la langue française, 1992

Notes

((It)) is grown in layer form atop GaAs substrates to provide optical and carrier confinement in double- and single-heterostructure diode lasers for the 0.7-0.9 μm wavelength region.  

Termes

gallium aluminum arsenide   

GaAlAs   

aluminum gallium arsenide   

[GaAlAs] Symbole chimique de « gallium aluminium arsenide ».