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Fiche terminologique

FICHE TERMINOLOGIQUE

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zone d'appauvrissement

Domaines

électronique > semi-conducteur

informatique

Auteur

Logo identifiant une fiche rédigée par l’Office québécois de la langue française Office québécois de la langue française, 2012

Définition

Zone d'un semi-conducteur, située à l'interface entre la partie N et la partie P d'une jonction PN, dans laquelle les porteurs de charge libres, électrons ou trous, ont été éliminés de sorte que la formation ou le passage d'un courant électrique devient peu probable.  

Note

Ce concept a donné lieu à une prolifération de termes parmi lesquels on trouve zone de désertion, zone d'épuisement, couche de désertion, couche d'épuisement, zone appauvrie et couche appauvrie. Ces termes, moins fréquents dans l'usage, ont été créés en s'inspirant de ceux déjà proposés sur cette fiche.  

Termes jugés adéquats pour désigner le concept à l’intérieur d’un domaine spécialisé, conformes au système linguistique du français ou acceptables en vertu des politiques officielles de l’Office

Termes privilégiés

zone d'appauvrissement   n. f.

zone désertée   n. f.

zone de déplétion   n. f.

couche d'appauvrissement   n. f.

couche désertée   n. f.

couche de déplétion   n. f.

Anglais

Auteur

Logo identifiant une fiche rédigée par l’Office québécois de la langue française Office québécois de la langue française, 2012

Termes

depletion region   

depletion layer   

depletion zone   

space-charge layer   

space-charge region    

Termes associés

barrier region   

critiqué

barrier layer   

critiqué

barrier   

critiqué

blocking layer   

critiqué

Les termes barrier region, barrier layer, blocking layer et barrier, dont l'utilisation est très répandue, mais dont le sens peut être équivoque, sont déconseillés.